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廈門泰尼電氣有限公司
主營產品： AB模塊PLC |
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D-UG660-20*-*D-UG660-20
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如何判斷飽和？
判斷飽和時應該求出基級zui大飽和電流IBS,然后再根據實際的電路求出當前的基級電流，如果當前的基級電流大于基級zui大飽和電流，則可判斷電路此時處于飽和狀態。
飽和的條件： 1.集電極和電源之間有電阻存在 且越大就越容易管子飽和；2.基集電流比較大以使集電極的電阻把集電極的電源拉得很低，從而出現b較c電壓高的情況。
影響飽和的因素：1.集電極電阻 越大越容易飽和；2.管子的放大倍數 放大倍數越大越容易飽和；3.基集電流的大小。
飽和后的現象：1.基極的電壓大于集電極的電壓；2.集電極的電壓為0.3左右，基極為0.7左右（假設e極接地）。
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談論飽和不能不提負載電阻。假定晶體管集-射極電路的負載電阻（包括集電極與射極電路中的總電阻）為R,則集-射極電壓Vce=VCC-Ib*hFE*R,隨著Ib的增大，Vce減小，當Vce<0.6V時，B-C結即進入正偏，Ice已經很難繼續增大，就可以認為已經進入飽和狀態了。當然Ib如果繼續增大，會使Vce再減小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度飽和了。以上是對NPN型硅管而言。
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